忆阻型电子突触是一种可用于模仿生物神经突触行径的电学仿生器件，可构修用于类脑企图的人工神经收集，满意人工智能期间数据爆炸式延长的存储需求。开拓开合电压低于50 mV的忆阻器能够避免电道中信号放大题目，如神经元和神经收集电道中须要的生物电子突触。本文抉择常用于纳米润滑规模的轮廓改性纳米铜颗粒为讨论对象，修筑了模子器件。展现正在超低开合电压（4 mV）下浮现出阈值型电阻开合性格，创设了忆阻器开合电压的新记载。同时，应用所制备的器件模仿修筑了脉冲神经收集、创立了饱舞神经元模子，展现该器件功耗比已报道的忆阻器（开合电压为40 mV）低大约10倍。

　　纳米质料工程中央刘培松博士为论文第一作家，张治军教学插足引导纳米铜颗粒的安排合成事业，河南大学为论文第一具名单元。该讨论事业受到邦度核心研发安置、邦度自然科学基金、河南省科技安置项目、河南大学一流学科培养项目等资金资助。